产品概述
Si826x系列隔离栅极驱动器, 非常适合驱动功率MOSFET和IGBT, 用于逆变器和电机控制应用。采用Silicon Laboratories专有的硅隔离技术, 可达5k VRMS耐压 (UL1577), 10kV浪涌保护 (IEC60747)。与光耦合栅极驱动器相比, 这种技术提供更高的性能, 降低温度和寿命的影响, 更紧密的元件匹配, 以及出色的共模抑制性能。虽然输入电路模仿LED的特性, 但所需的驱动电流更小, 从而提高了效率。传播延迟时间与输入驱动电流无关, 始终保持较短的传播时间, 严格的产品公差, 良好的输入电路设计灵活性。因此, 与光耦合栅极驱动器相比, Si826x系列具有更长的使用寿命和更高的可靠性。
- 引脚兼容, 嵌入式升级, 适用于多种高速光耦合门驱动器
- 低功耗二极管仿真器, 简化设计过程
- 0.6和4A峰值输出驱动电流
- 轨至轨输出电压
- 抗温度变化, 抗冲击
- 10x 低FIT率, 长使用寿命
- 14x 严格部件到部件匹配
- >50kV/µs共模瞬态抗扰 (典型值)
应用
工业, 电机驱动与控制, 电源管理, 消费电子产品, 医用
产品信息
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- 1通道
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- 40ns
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- 5V
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- 30V
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- SDIP
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- 6引脚
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- -40°C
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- 125°C
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- Si826x Series
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- MSL 3 - 168小时